James C. Eckert

Professor of Physics

磁性设备技术在我们的日常生活中发挥着越来越大的作用. 磁存储可以追溯到20世纪30年代磁带记录的出现，最近的高容量计算机硬盘驱动器只是同一主题的一个变化. However, 在过去的几年里，出现在现场的磁性设备的数量和类型都出现了爆炸式增长. 位置和定位传感器, magnetic switching, 近年来，基于磁阻的非易失性计算机存储器也得到了广泛的应用. 这是由巨磁阻效应的发现和利用带来的。. 巨磁阻现象是当施加磁场时系统电阻的巨大变化. 显示GMR的样品由分离的铁磁性区域组成, such as iron or cobalt, 非磁性材料. 使用GMR的设备需要第三个区域的反铁磁材料, such as CoO or IrMn, 这就产生了锁定效应, 称为交换耦合, 在一个或多个铁磁区域的磁化方向上. 这种交换耦合是所有这些设备的中心特征，但还没有得到很好的理解. 我们的研究采用了电传输, magnetization, thermodynamic, 以及光学测量来研究薄膜磁性纳米结构中的交换耦合，其双重目标是揭示交换耦合的起源，并通过控制电子在磁性结构中移动时与自旋相关的磁性来增强交换耦合的效果，从而改进和发展磁性器件技术. 这是自旋电子学的新兴领域.

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